casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN2315TE85LF
Número da peça de fabricante | RN2315TE85LF |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN2315TE85LF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN2315TE85LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | USM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2315TE85LF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN2315TE85LF-FT |
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage