casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN2312(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN2312(TE85L,F) |
---|---|
Número da peça futura | FT-RN2312(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN2312(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | USM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2312(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN2312(TE85L,F)-FT |
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C3T144C8N
Intel
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AQC
Microchip Technology
5SGXMA3E3H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C3N
Intel
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C4N
Intel
EP3SL70F780I4LN
Intel