casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1908FE(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN1908FE(TE85L,F) |
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Número da peça futura | FT-RN1908FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1908FE(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1908FE(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1908FE(TE85L,F)-FT |
PBLS6004D,115
Nexperia USA Inc.
PIMH9,115
Nexperia USA Inc.
RN1602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1605TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel