casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1902FE,LF(CT
Número da peça de fabricante | RN1902FE,LF(CT |
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Número da peça futura | FT-RN1902FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1902FE,LF(CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1902FE,LF(CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1902FE,LF(CT-FT |
PBLS6002D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6004D,115
Nexperia USA Inc.
PIMH9,115
Nexperia USA Inc.
RN1602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1605TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-N3FG900I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256T
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35F672I8N
Intel
EP2C70F672C6
Intel
EPF10K200SBC600-1X
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.