casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1706JE(TE85L,F)
Número da peça de fabricante | RN1706JE(TE85L,F) |
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Número da peça futura | FT-RN1706JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1706JE(TE85L,F) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ESV |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1706JE(TE85L,F) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1706JE(TE85L,F)-FT |
PBLS4001D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4002D,115
Nexperia USA Inc.
PIMC31F
Nexperia USA Inc.
PIMD3F
Nexperia USA Inc.
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1970(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1971TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1973(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage