casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage RN1119MFV,L3F
- Número da peça MFG
- RN1119MFV,L3F
- Quantidade disponível
- 43490 Peças
- Preço de referência
- USD 0.023184
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- - X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- RN1119MFV,L3F.pdf
RN1119MFV,L3F Especificações
| Número da peça de fabricante | RN1119MFV,L3F |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-RN1119MFV,L3F |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| RN1119MFV,L3F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 150mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-723 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VESM |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN1119MFV,L3F Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | RN1119MFV,L3F-FT |
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