casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / RN1101CT(TPL3)
Número da peça de fabricante | RN1101CT(TPL3) |
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Número da peça futura | FT-RN1101CT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1101CT(TPL3) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 50mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CST3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1101CT(TPL3) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1101CT(TPL3)-FT |
RN1423TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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Microsemi Corporation
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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