Número da peça de fabricante | RM 2B |
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Número da peça futura | FT-RM 2B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RM 2B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 2B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RM 2B-FT |
RL101-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL101-TP
Micro Commercial Co
RL102-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel