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Número da peça de fabricante | RM25C256DS-LSNI-T |
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Número da peça futura | FT-RM25C256DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Mavriq™ |
RM25C256DS-LSNI-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | CBRAM® |
Tecnologia | CBRAM |
Tamanho da memória | 256kb (64B Page Size) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100µs, 2.5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C256DS-LSNI-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RM25C256DS-LSNI-T-FT |
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel