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Número da peça de fabricante | RM25C128DS-LSNI-T |
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Número da peça futura | FT-RM25C128DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Mavriq™ |
RM25C128DS-LSNI-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | CBRAM® |
Tecnologia | CBRAM |
Tamanho da memória | 128kb (64B Page Size) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100µs, 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128DS-LSNI-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RM25C128DS-LSNI-T-FT |
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C
Alliance Memory, Inc.
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel