Número da peça de fabricante | RM 10 |
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Número da peça futura | FT-RM 10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RM 10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RM 10-FT |
RJU6053TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU6053WDPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJU6054SDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJU6054TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C2TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel