Número da peça de fabricante | RM 10Z |
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Número da peça futura | FT-RM 10Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RM 10Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 10Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RM 10Z-FT |
RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America
RJU60C6TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America
RK 14
Sanken
RK 14V
Sanken
RK 16
Sanken
RK 16V
Sanken
RK 19
Sanken
RK 19V
Sanken
RK 34
Sanken
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel