
| Número da peça de fabricante | RM 10Z |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-RM 10Z |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| RM 10Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
| Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | Axial |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
| Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RM 10Z Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | RM 10Z-FT |

RJU60C3TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America

RJU60C6TDPP-AJ#T2
Renesas Electronics America

RJU60C6TDPP-EJ#T2
Renesas Electronics America

RK 14
Sanken

RK 14V
Sanken

RK 16
Sanken

RK 16V
Sanken

RK 19
Sanken

RK 19V
Sanken

RK 34
Sanken

AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation

M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation

LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K250EFI672-3
Intel

XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.

XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.

A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation

5CGXBC9E7F31C8N
Intel

EP2AGX45CU17C5
Intel

EPF8636AQC208-2
Intel