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Número da peça de fabricante | RLB1014-102KL |
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Número da peça futura | FT-RLB1014-102KL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RLB |
RLB1014-102KL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1mH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 360mA |
Atual - saturação | 600mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 4.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 252kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 900kHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 252kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.343" Dia (8.70mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.512" (13.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1014-102KL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RLB1014-102KL-FT |
SDE6603-1R0M
Bourns Inc.
SDE6603-1R5M
Bourns Inc.
SDE6603-220M
Bourns Inc.
SDE6603-221M
Bourns Inc.
SDE6603-2R2M
Bourns Inc.
SDE6603-330M
Bourns Inc.
SDE6603-331M
Bourns Inc.
SDE6603-470M
Bourns Inc.
SDE6603-471M
Bourns Inc.
SDE6603-4R7M
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel