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Número da peça de fabricante | RL875-470K |
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Número da peça futura | FT-RL875-470K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RL875 |
RL875-470K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 1.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL875-470K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RL875-470K-FT |
RLB0913-4R7K
Bourns Inc.
RLB0913-3R3K
Bourns Inc.
RLB0913-392K
Bourns Inc.
RLB0913-562K
Bourns Inc.
RLB0913-120K
Bourns Inc.
RLB0913-180K
Bourns Inc.
RLB0913-681K
Bourns Inc.
RLB0913-470K
Bourns Inc.
RLB0913-2R2K
Bourns Inc.
RLB0913-821K
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel