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Número da peça de fabricante | RL855-331K-RC |
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Número da peça futura | FT-RL855-331K-RC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RL855 |
RL855-331K-RC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 330µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 440mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.47 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 790kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 3.2MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-331K-RC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RL855-331K-RC-FT |
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
RLB0913-100K
Bourns Inc.
RLB0913-1R0K
Bourns Inc.
RLB0913-181K
Bourns Inc.
RLB0913-332K
Bourns Inc.
RLB0913-121K
Bourns Inc.
RLB0913-222K
Bourns Inc.
RLB0913-820K
Bourns Inc.
RLB0913-152K
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel