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Número da peça de fabricante | RL855-120M |
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Número da peça futura | FT-RL855-120M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RL855 |
RL855-120M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 12µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.4A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-120M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RL855-120M-FT |
RLB0913-151K
Bourns Inc.
RLB0913-150K
Bourns Inc.
RLB0913-153K
Bourns Inc.
RLB0913-472K
Bourns Inc.
RLB0913-273K
Bourns Inc.
RLB0913-683K
Bourns Inc.
RLB0913-823K
Bourns Inc.
RLB0913-393K
Bourns Inc.
RLB0913-103K
Bourns Inc.
RLB0913-104K
Bourns Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation