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Número da peça de fabricante | RL855-101K |
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Número da peça futura | FT-RL855-101K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RL855 |
RL855-101K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 100µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 810mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 520 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-101K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RL855-101K-FT |
RLB0913-682K
Bourns Inc.
RLB0913-182K
Bourns Inc.
RLB0913-221K
Bourns Inc.
RLB0913-151K
Bourns Inc.
RLB0913-150K
Bourns Inc.
RLB0913-153K
Bourns Inc.
RLB0913-472K
Bourns Inc.
RLB0913-273K
Bourns Inc.
RLB0913-683K
Bourns Inc.
RLB0913-823K
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel