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Número da peça de fabricante | RL855-100M |
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Número da peça futura | FT-RL855-100M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RL855 |
RL855-100M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.5A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-100M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RL855-100M-FT |
RLB0913-152K
Bourns Inc.
RLB0913-682K
Bourns Inc.
RLB0913-182K
Bourns Inc.
RLB0913-221K
Bourns Inc.
RLB0913-151K
Bourns Inc.
RLB0913-150K
Bourns Inc.
RLB0913-153K
Bourns Inc.
RLB0913-472K
Bourns Inc.
RLB0913-273K
Bourns Inc.
RLB0913-683K
Bourns Inc.
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel