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Número da peça de fabricante | RL855-100M-RC |
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Número da peça futura | FT-RL855-100M-RC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RL855 |
RL855-100M-RC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.5A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 20MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -30°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-100M-RC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RL855-100M-RC-FT |
RLB0913-271K
Bourns Inc.
RLB0913-822K
Bourns Inc.
RLB0913-223K
Bourns Inc.
RLB0913-1R5K
Bourns Inc.
RLB0913-122K
Bourns Inc.
RLB0913-680K
Bourns Inc.
RLB0913-270K
Bourns Inc.
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation