casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / RJP65T54DPM-A0#T2
Número da peça de fabricante | RJP65T54DPM-A0#T2 |
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Número da peça futura | FT-RJP65T54DPM-A0#T2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RJP65T54DPM-A0#T2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 63.5W |
Energia de comutação | 330µJ (on), 760µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 72nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 35ns/120ns |
Condição de teste | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SC-94 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PFP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJP65T54DPM-A0#T2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RJP65T54DPM-A0#T2-FT |
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