casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK2557DPA-00#J0
Número da peça de fabricante | RJK2557DPA-00#J0 |
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Número da peça futura | FT-RJK2557DPA-00#J0 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RJK2557DPA-00#J0 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 30W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-WPAK |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK2557DPA-00#J0 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RJK2557DPA-00#J0-FT |
RJK0603DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0703DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1002DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0651DPB-00#J5
Renesas Electronics America
HAT2168H-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0455DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0456DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0655DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0656DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0855DPB-00#J5
Renesas Electronics America
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel