casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / RJH65T04BDPMA0#T2F
Número da peça de fabricante | RJH65T04BDPMA0#T2F |
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Número da peça futura | FT-RJH65T04BDPMA0#T2F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RJH65T04BDPMA0#T2F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 65W |
Energia de comutação | 360µJ (on), 350µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 74nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 35ns/115ns |
Condição de teste | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 80ns |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SC-94 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PFP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJH65T04BDPMA0#T2F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RJH65T04BDPMA0#T2F-FT |
IHW30N120R5XKSA1
Infineon Technologies
IHW30N135R5XKSA1
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