casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / RJH60A83RDPD-A0#J2
Número da peça de fabricante | RJH60A83RDPD-A0#J2 |
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Número da peça futura | FT-RJH60A83RDPD-A0#J2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RJH60A83RDPD-A0#J2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
Potência - Max | 51W |
Energia de comutação | 230µJ (on), 160µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 19.7nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 31ns/54ns |
Condição de teste | 300V, 10A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 130ns |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJH60A83RDPD-A0#J2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RJH60A83RDPD-A0#J2-FT |
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