casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RHU002N06T106
Número da peça de fabricante | RHU002N06T106 |
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Número da peça futura | FT-RHU002N06T106 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RHU002N06T106 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 200mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UMT3 |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RHU002N06T106 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RHU002N06T106-FT |
RCJ330N25TL
Rohm Semiconductor
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