casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / RGT8NS65DGTL
Número da peça de fabricante | RGT8NS65DGTL |
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Número da peça futura | FT-RGT8NS65DGTL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RGT8NS65DGTL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 12A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Potência - Max | 65W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 13.5nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 17ns/69ns |
Condição de teste | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 40ns |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LPDS (TO-263S) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGT8NS65DGTL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RGT8NS65DGTL-FT |
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LCMXO2-2000ZE-1TG100C
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Microchip Technology
5SGXMA7K2F40I2N
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5SGXEA5N2F45C1N
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XC4VFX20-10FFG672C
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