Número da peça de fabricante | RGP10D |
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Número da peça futura | FT-RGP10D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RGP10D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-41 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RGP10D-FT |
RB751SL
ON Semiconductor
FFPF08S60SNTU
ON Semiconductor
FFPF15S60STU
ON Semiconductor
FFPF10UA60ST
ON Semiconductor
FFPF30UP20STU
ON Semiconductor
FFPF20UP40S
ON Semiconductor
FFPF08H60STU
ON Semiconductor
FFPF30UA60S
ON Semiconductor
ISL9R860PF2
ON Semiconductor
FFPF08S60STTU
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel