casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / RGF1M-7000HE3/5CA
Número da peça de fabricante | RGF1M-7000HE3/5CA |
---|---|
Número da peça futura | FT-RGF1M-7000HE3/5CA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGF1M-7000HE3/5CA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 500ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214BA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214BA (GF1) |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGF1M-7000HE3/5CA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RGF1M-7000HE3/5CA-FT |
PMEG3010EH,115
Nexperia USA Inc.
BAS21H,115
Nexperia USA Inc.
PMEG1030EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2015EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEH,115
Nexperia USA Inc.
BAT46GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS16GWJ
Nexperia USA Inc.
BAT54GWJ
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel