Número da peça de fabricante | RG 1CV |
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Número da peça futura | FT-RG 1CV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RG 1CV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 700mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 700mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 100ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 1CV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RG 1CV-FT |
R9G20812CSOO
Powerex Inc.
R9G20815ASOO
Powerex Inc.
R9G21009ASOO
Powerex Inc.
R9G21009CSOO
Powerex Inc.
R9G21011ASOO
Powerex Inc.
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
R9G21012CSOO
Powerex Inc.
R9G21209ASOO
Powerex Inc.
R9G21209CSOO
Powerex Inc.
R9G21211ASOO
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel