casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / RFV8TJ6SGC9
Número da peça de fabricante | RFV8TJ6SGC9 |
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Número da peça futura | FT-RFV8TJ6SGC9 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RFV8TJ6SGC9 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 45ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220ACFP |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFV8TJ6SGC9 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RFV8TJ6SGC9-FT |
RN 1ZV1
Sanken
RM 4Y
Sanken
RM 4C
Sanken
RM 4Z
Sanken
RM 4
Sanken
RM 4A
Sanken
RM 4AM
Sanken
RM 2CV1
Sanken
RL 4A
Sanken
RL 4Z
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel