casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / RFV12TG6SGC9
Número da peça de fabricante | RFV12TG6SGC9 |
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Número da peça futura | FT-RFV12TG6SGC9 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RFV12TG6SGC9 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 12A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 12A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 45ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220ACFP |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFV12TG6SGC9 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RFV12TG6SGC9-FT |
MBRB1840TR
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MBRB745TR
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A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
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EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
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5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel