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ON Semiconductor RFD12N06RLESM9A

Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: RFD12N06RLESM9A
Price: 0.326232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (149 reviews)

Número da peça MFG: RFD12N06RLESM9A

Quantidade disponível: 28140 Peças

Preço de referência: USD 0.326232

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: UltraFET™ MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RFD12N06RLESM9A.pdf

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RFD12N06RLESM9A Especificações

Número da peça de fabricante	RFD12N06RLESM9A
Número da peça futura	FT-RFD12N06RLESM9A
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	UltraFET™
RFD12N06RLESM9A Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	49W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252AA
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD12N06RLESM9A Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RFD12N06RLESM9A-FT

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