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Rohm Semiconductor RD3H200SNFRATL

Name: RD3H200SNFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H200SNFRATL
Price: 0.498848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (276 reviews)

Número da peça MFG: RD3H200SNFRATL

Quantidade disponível: 84230 Peças

Preço de referência: USD 0.498848

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 RD3H200SNFRA IS THE HIGH RELIABI

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RD3H200SNFRATL.pdf

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RD3H200SNFRATL Especificações

Número da peça de fabricante	RD3H200SNFRATL
Número da peça futura	FT-RD3H200SNFRATL
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
RD3H200SNFRATL Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	20W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3H200SNFRATL Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RD3H200SNFRATL-FT

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