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Rohm Semiconductor RD3H080SPFRATL

Name: RD3H080SPFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPFRATL
Price: 0.443296 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (622 reviews)

Número da peça MFG: RD3H080SPFRATL

Quantidade disponível: 51550 Peças

Preço de referência: USD 0.443296

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: RD3H080SPFRATL.pdf

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RD3H080SPFRATL Especificações

Número da peça de fabricante	RD3H080SPFRATL
Número da peça futura	FT-RD3H080SPFRATL
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
RD3H080SPFRATL Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	15W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3H080SPFRATL Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	RD3H080SPFRATL-FT

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