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Número da peça de fabricante | RD12MVS1-T112 |
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Número da peça futura | FT-RD12MVS1-T112 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Original Package: SMD / through hole |
RD12MVS1-T112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Tipo | - |
Recursos | - |
Tensão - Alimentação | - |
Interface de dados | - |
Total de bits de RAM | - |
Número de E / S | - |
Capacitância | - |
Resistência | - |
Tolerância | - |
Tipo de montagem | SMD or Through Hole |
Temperatura de operação | Contact us |
Pacote / Caso | Original |
Tamanho / dimensão | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RD12MVS1-T112 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RD12MVS1-T112-FT |
RD1/4 120ohm J
Original
RD1/4 560Kohm J
Original
RD1/4-335J
Original
RD1/4P2A1.3KJ-F2
Original
RD1/4P2A1.6KJ-F2
Original
RD1/4P2A1.8KJ-F2
Original
RD1/4P2A2.2KJ-F2
Original
RD1/4P2A2.4KJ-F2
Original
RD1/4P2A2.7KJ-F2
Original
RD1/4P2A2KJ-F2
Original
XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XCKU11P-2FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100C
Microsemi Corporation
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C4N
Intel