casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RCX510N25
Número da peça de fabricante | RCX510N25 |
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Número da peça futura | FT-RCX510N25 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RCX510N25 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 40W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FM |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCX510N25 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RCX510N25-FT |
RFD16N05LSM
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A54SX16-VQ100
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5SGSED6K2F40C2N
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5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation