casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / RB861YT2R
Número da peça de fabricante | RB861YT2R |
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Número da peça futura | FT-RB861YT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RB861YT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 5V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 290mV @ 1mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 1V |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75-4, SOT-543 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMD4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB861YT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RB861YT2R-FT |
81CNQ035
SMC Diode Solutions
81CNQ035S2
SMC Diode Solutions
81CNQ040
SMC Diode Solutions
81CNQ040S2
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83CNQ080
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83CNQ080S2
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84CNQ035
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84CNQ040
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LFECP6E-3T144I
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EP2S15F484I4N
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5CEBA2F17C7N
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XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
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5AGXFB7H4F35I5
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EP4CE115F29I7N
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10AX032E1F27I1HG
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