casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / RB851YT2R
Número da peça de fabricante | RB851YT2R |
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Número da peça futura | FT-RB851YT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RB851YT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 3V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 1mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700nA @ 1V |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75-4, SOT-543 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMD4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB851YT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RB851YT2R-FT |
80CNQ045S2
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81CNQ035
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XC2S30-6PQ208C
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A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
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XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
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EP2AGZ225FF35I3N
Intel