casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / RB550EAFHTR
Número da peça de fabricante | RB550EAFHTR |
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Número da peça futura | FT-RB550EAFHTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
RB550EAFHTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 700mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 700mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 10.7ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMD5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB550EAFHTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RB550EAFHTR-FT |
83CNQ080SMS2
SMC Diode Solutions
83CNQ100SM
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XC6SLX150T-3FGG676C
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LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel