casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / RA201836XX
Número da peça de fabricante | RA201836XX |
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Número da peça futura | FT-RA201836XX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RA201836XX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3600A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3000A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 22µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200mA @ 1800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | DO-200AD |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Pow-R-Disc |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201836XX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RA201836XX-FT |
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel