casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / RA201436XX
Número da peça de fabricante | RA201436XX |
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Número da peça futura | FT-RA201436XX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RA201436XX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3600A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3000A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 22µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200mA @ 1400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | DO-200AD |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Pow-R-Disc |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA201436XX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RA201436XX-FT |
BYS11-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1J-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel