casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R9G04412XX
Número da peça de fabricante | R9G04412XX |
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Número da peça futura | FT-R9G04412XX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R9G04412XX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 4400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 1500A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150mA @ 4400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G04412XX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R9G04412XX-FT |
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
R4280F
Microsemi Corporation
R4280TS
Microsemi Corporation
R43120
Microsemi Corporation
R43120TS
Microsemi Corporation
R5020PF
Microsemi Corporation
R5040PF
Microsemi Corporation
R5060PF
Microsemi Corporation
R5080PF
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel