casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R9G02812XX
Número da peça de fabricante | R9G02812XX |
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Número da peça futura | FT-R9G02812XX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R9G02812XX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 2800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 1500A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150mA @ 2800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G02812XX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R9G02812XX-FT |
R4220F
Microsemi Corporation
R4220TS
Microsemi Corporation
R4230F
Microsemi Corporation
R4230TS
Microsemi Corporation
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
Microsemi Corporation
R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel