casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R9G02612XX
Número da peça de fabricante | R9G02612XX |
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Número da peça futura | FT-R9G02612XX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R9G02612XX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 2600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 1500A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150mA @ 2600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G02612XX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R9G02612XX-FT |
R4220
Microsemi Corporation
R4220F
Microsemi Corporation
R4220TS
Microsemi Corporation
R4230F
Microsemi Corporation
R4230TS
Microsemi Corporation
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
Microsemi Corporation
R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
Intel