casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R7S02008XX
Número da peça de fabricante | R7S02008XX |
---|---|
Número da peça futura | FT-R7S02008XX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R7S02008XX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 2000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 800A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1500A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 10µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 2000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | DO-200AA, A-PUK |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-200AA, R62 |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7S02008XX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R7S02008XX-FT |
R7012203XXUA
Powerex Inc.
R7012403XXUA
Powerex Inc.
R7200206XXOO
Powerex Inc.
R7200209XXOO
Powerex Inc.
R7200212XXOO
Powerex Inc.
R7200406XXOO
Powerex Inc.
R7200409XXOO
Powerex Inc.
R7200412XXOO
Powerex Inc.
R7200606XXOO
Powerex Inc.
R7200609XXOO
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel