casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R6076ENZ1C9
Número da peça de fabricante | R6076ENZ1C9 |
---|---|
Número da peça futura | FT-R6076ENZ1C9 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6076ENZ1C9 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 44.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 120W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6076ENZ1C9 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6076ENZ1C9-FT |
ATP112-TL-H
ON Semiconductor
ATP202-TL-H
ON Semiconductor
NVATS5A106PLZT4G
ON Semiconductor
ATP102-TL-H
ON Semiconductor
ATP107-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-V-TL-H
ON Semiconductor
ATP203-TL-H
ON Semiconductor
ATP204-TL-H
ON Semiconductor
ATP206-TL-H
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel