casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R6035KNZ1C9
Número da peça de fabricante | R6035KNZ1C9 |
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Número da peça futura | FT-R6035KNZ1C9 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6035KNZ1C9 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 18.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 379W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6035KNZ1C9 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6035KNZ1C9-FT |
ATP206-TL-H
ON Semiconductor
ATP207-S-TL-H
ON Semiconductor
ATP207-TL-H
ON Semiconductor
ATP208-TL-H
ON Semiconductor
ATP212-S-TL-H
ON Semiconductor
ATP212-TL-H
ON Semiconductor
ATP213-TL-H
ON Semiconductor
ATP214-TL-H
ON Semiconductor
ATP216-TL-H
ON Semiconductor
ATP218-TL-H
ON Semiconductor
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel