casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6030835ESYA
Número da peça de fabricante | R6030835ESYA |
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Número da peça futura | FT-R6030835ESYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6030835ESYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 350A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -45°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030835ESYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6030835ESYA-FT |
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
JANTX1N5807US
Microsemi Corporation
JANTX1N5809
Microsemi Corporation
JANTX1N5809US
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel