casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6030425HSYA
Número da peça de fabricante | R6030425HSYA |
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Número da peça futura | FT-R6030425HSYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6030425HSYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -45°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030425HSYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6030425HSYA-FT |
JANTX1N5418US
Microsemi Corporation
JANTX1N5420US
Microsemi Corporation
JANTX1N5553US
Microsemi Corporation
JANTX1N5554
Microsemi Corporation
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
JANTX1N5618US
Microsemi Corporation
JANTX1N5619US
Microsemi Corporation
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel