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Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9

Name: R6025FNZ1C9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6025FNZ1C9
Price: 5.088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (660 reviews)

Número da peça MFG: R6025FNZ1C9

Quantidade disponível: 25610 Peças

Preço de referência: USD 5.088

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Rohm Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: R6025FNZ1C9.pdf

R6025FNZ1C9 Especificações

Número da peça de fabricante	R6025FNZ1C9
Número da peça futura	FT-R6025FNZ1C9
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
R6025FNZ1C9 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6025FNZ1C9 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	R6025FNZ1C9-FT

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