casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6011630XXYA
Número da peça de fabricante | R6011630XXYA |
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Número da peça futura | FT-R6011630XXYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6011630XXYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 13µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 1600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6011630XXYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6011630XXYA-FT |
HER605G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT11G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT11G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT12G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT12G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT12G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel